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MOS管在開關電源中的核心作用及其關鍵性能參數對設計的影響
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡稱MOSFET)是現代電子技術中不可或缺的元器件之一,在開關電源設計中扮演著至關重要的角色。開關電源作為現代電力轉換和管理的核心組件,其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管...
2025-01-25
MOS管 開關電源
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第14講:工業用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構,與現有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
工業用 SiC 功率模塊
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意法半導體榮膺 2025 年全球杰出雇主認證
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 首次被Top Employers Institute評選為2025年全球杰出雇主。
2025-01-24
意法半導體
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IGBT并聯設計指南,拿下!
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載,并聯器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。
2025-01-24
IGBT 并聯設計
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功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。
2025-01-24
功率器件 熱設計 熱系數 結溫
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利用創新FPGA技術:實現USB解決方案的低功耗、模塊化與小尺寸
USB技術的開發面臨著獨特的挑戰,主要原因是需要在受限的設備尺寸內實現穩定互連、高速度和電源管理。各種器件兼容性問題、各異的數據傳輸速度以及對低延遲和低功耗的要求,給工程師帶來了更多壓力,他們需要在嚴格的技術限制范圍內進行創新。工程師必須將USB功能集成到越來越小的模塊中,并在功能...
2025-01-24
FPGA技術 USB
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服務器電源設計中的五大趨勢
由于服務器對于處理數據通信至關重要,因此服務器行業與互聯網同步呈指數發展。盡管服務器單元最初是基于 PC 架構,但服務器系統必須能夠應對日益增加的網絡主機數量和復雜性。
2025-01-24
服務器電源
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音頻放大器的 LLC 設計注意事項
設計音頻放大器的電源時必須將特殊注意事項考慮在內。與標準隔離式電源相比,音頻信號的非線性性質提出了不同的設計挑戰。
2025-01-23
音頻放大器 LLC
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基于 SiC 的三相電機驅動開發和驗證套件
工業電機驅動器涵蓋廣泛的應用,從低壓工業驅動器(例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調)以及伺服驅動器。據估計,這些通常由交流電源驅動的電動機占工業用電量的 70-80%。因此,人們有強烈的動機來提高這些驅動器的效率。即使該參數的微小改進也能在節省能源和成本方面產生深遠的影響。國際電化學委...
2025-01-21
SiC 三相電機驅動
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